В прошлом году компании IBM и Toshiba активно занялись разработкой магниторезистивной памяти MRAM, которая имеет большие преимущества перед обычной DRAM. Их работа практически подошла к концу.


Для пользователей мобильных устройств, чтобы объем памяти был побольше, а энергопотребление поменьше. Память MRAM удовлетворяет этим требованиям. Она работает быстрее по сравнению с DRAM, потребляет в 10 раз меньше энергии и может сохранять данные после отключения питания. Это достигается благодаря тому, что информация хранится не в виде электрических зарядов или токов, а с помощью магнитных элементов. При этом модуль памяти MRAM объемом 1 ГБ имеет размер почтовой марки.

Единственная проблема, которую предстоит победить разработчикам, заключается в том, чтобы обеспечить стабильную работу памяти MRAM в широком температурном диапазоне. Представители компаний утверждают, что эта проблема будет решена. Массовое появление на рынке MRAM ожидается в 2015 году. -----------------------------------------------------------------------------
-----------------------------------------------------------------------------
-----------------------------------------------------------------------------

Администратор

Спасибо что заглянули на наш сайт!
Не забудьте добавить его в закладки (Ctrl+D), чтобы не потерять. Также вы можете подписаться на новые выпуски по Email (это бесплатно).
Не забывайте также и про кнопки социальных сетей. Если вам есть что сказать по статье, милости прошу в комментарии.